Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Membre actif
7 Ans
Accueil / produits / Silicon Power Transistor /

Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

Contacter
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
Contacter

Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

Demander le dernier prix
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :MMBD1501A
Type :COMMUTATION DIODESOD
D'entité :Basse fuite
Transistor de transistor MOSFET de puissance :SOT-23 Plastique-encapsulent des diodes
Tension de blocage de C.C :200V
Identité de produit :MMBD1501A
Dissipation de puissance :350mW
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

La BASSE DIODE SOT-23 de FUITE de MMBD1501A Plastique-encapsulent des diodes


 

CARACTÉRISTIQUE
 
basse fuite de 
conductibilité élevée de 

Inscription : A11

Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

 
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)
 

 Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse
 


 
 
 
Characterisitics typique
    
 
Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basseTransistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse



 
 
 
 
 
 
Dimensions d'ensemble de paquet
 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TYPES 0,037 TYPES
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 RÉFÉRENCES 0,022 RÉFÉRENCES
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 

Inquiry Cart 0