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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MrDavid Lee

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Transistor à forte intensité de MMBD1501A, fuite de transistor de commutateur électrique basse

Demander le dernier prix

Point d'origine :Shenzhen en Chine

Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs

Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte

Délai de livraison :1 - 2 semaines

Conditions de paiement :L/C T/T Western Union

Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour

Numéro de type :MMBD1501A

Type :COMMUTATION DIODESOD

D'entité :Basse fuite

Transistor de transistor MOSFET de puissance :SOT-23 Plastique-encapsulent des diodes

Tension de blocage de C.C :200V

Identité de produit :MMBD1501A

Dissipation de puissance :350mW

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La BASSE DIODE SOT-23 de FUITE de MMBD1501A Plastique-encapsulent des diodes

CARACTÉRISTIQUE

basse fuite de 

conductibilité élevée de 

Inscription : A11

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

Characterisitics typique

Dimensions d'ensemble de paquet

Symbole	Dimensions dans les millimètres		Dimensions en pouces
	Minute	Maximum	Minute	Maximum
	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TYPES		0,037 TYPES
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 RÉFÉRENCES		0,022 RÉFÉRENCES
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

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