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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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La température de jonction matérielle de silicium de transistor à effet de champ de MOS de 50N06P/T 60V 150℃

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Ville:shenzhen
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La température de jonction matérielle de silicium de transistor à effet de champ de MOS de 50N06P/T 60V 150℃
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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :50N06P/T
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
La température de jonction :150℃
Matériau :de silicium
Affaire :Bande/plateau/bobine
Type :Transistor de transistor MOSFET
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Transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal de 50N06P/T 200V

 

Résumé de produit

 

Le 18N20X emploie la technologie plate avancée pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS), à la basses charge de porte et opération des tensions de porte aussi basses comme 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme protection de batterie ou dans l'autre application de changement.
 
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