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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m

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China Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m wholesale
  • China Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m wholesale

Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m
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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :RS1A
Type :diode de redresseur rapide de récupération
D'entité :Pour la surface applications montées
Polarité :La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Poids :0,002 onces, 0,07 grammes
Identité de produit :FS1A PAR FS1M
Affaire :JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
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RS1A PAR LE REDRESSEUR RAPIDE DE RÉCUPÉRATION DE BÂTI EXTÉRIEUR DE RS1M


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
La soudure à hautes températures a garanti :
250 secondes C/10 sur des terminaux
Jonction passivée en verre de puce
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Pour les applications montées extérieures
Basse fuite inverse
 
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m
 
Cas : JEDEC DO-214AC a moulé le corps en plastique au-dessus de la puce passivée
Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m
RS1A PAR LE REDRESSEUR RAPIDE DE RÉCUPÉRATION DE BÂTI EXTÉRIEUR DE RS1M
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
Cas : JEDEC DO-201AD a moulé le corps en plastique
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,002 onces, 0,07 grammes
 
 
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations à 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire. La charge monophasé 60Hz à demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m
 
 
 
Note :
1. État inverse IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de récupération
2. mesuré à 1MHz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V
3. Résistance thermique de jonction à ambiant à 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), mounte de carte PCB
 
 
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES 1N4942 PAR 1N4948
 
 
Transistor MOSFET à canal double Rs1a de récupération rapide par le bâti de surface de Rs1m
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