Catégories de produits

Transistor de puissance de transistor MOSFET

[236]

Transistors de puissance d'astuce

[60]

Transistor de puissance de silicium

[38]

Double diode de changement

[30]

Mos Field Effect Transistor

[58]

Transistor MOSFET à canal double

[20]

Diode de redresseur rapide de récupération

[12]

Diode Zener de puissance

[12]

Pont redresseur de Schottky

[20]

Diode de redresseur à haute tension

[30]

Triode de semi-conducteur

[18]

Stabilisateur IC de tension

[28]

Contacter

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MrDavid Lee

Coordonnées du contact

Contacter

La diode Zener à forte intensité planaire de silicium de BZX55C, la diode Zener 1v jeûnent commutation

Demander le dernier prix

Point d'origine :Shenzhen en Chine

Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs

Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte

Délai de livraison :1 - 2 semaines

Conditions de paiement :L/C T/T Western Union

Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour

Numéro de type :BZX55C

Type :Diodes Zener planaires de silicium

RTHA :0.3K/mW

vf :1V

Tstg :℃ -55to+175

Identité de produit :BZX55C

TJ :175℃

Contacter

Add to Cart

Voir la description du produit

Diodes Zener planaires de silicium de BZX55C

Description de produit

Les tensions de Zener sont évaluées selon la norme de l'internationa lE24. D'autres tolérances et

des tensions plus élevées de Zener sont sur demande.

Capacités absolues (Ta=25℃)

La diode Zener à forte intensité planaire de silicium de BZX55C, la diode Zener 1v jeûnent commutation

caractéristiques

BZX55C

Inquiry Cart 0