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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Diode à forte intensité de MBR1070CT~100CT Schottky, pont redresseur de silicium

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Diode à forte intensité de MBR1070CT~100CT Schottky, pont redresseur de silicium wholesale
  • China Diode à forte intensité de MBR1070CT~100CT Schottky, pont redresseur de silicium wholesale

Diode à forte intensité de MBR1070CT~100CT Schottky, pont redresseur de silicium
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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :MBR1070CT~100CT
Transistor de transistor MOSFET de puissance :TO-220-3L Plastique-encapsulent des diodes
Powerdissipation :2w
IFSM :150A
E/S :10A
Identité de produit :MBR1070CT, 80CT, 90CT, 100CT
Tstg :-55~+150
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MBR1070CT, 80CT, 90CT, 100CT TO-220-3L Plastique-encapsulent des diodes


 

CARACTÉRISTIQUE

 

  • Puce de barrière de Schottky
  • Perte de puissance faible, rendement élevé
  • Garde Ring Die Construction pour la protection passagère
  • Capacité de crête élevée
  • Capacité à forte intensité et basse chute de tension en avant
  • Pour l'usage dans la basse tension, les inverseurs à haute fréquence, le roulement libre, et les applications de protection de polarité
 
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
Diode à forte intensité de MBR1070CT~100CT Schottky, pont redresseur de silicium
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
Diode à forte intensité de MBR1070CT~100CT Schottky, pont redresseur de silicium
 
 
 
Caractéristiques typiques
 
Diode à forte intensité de MBR1070CT~100CT Schottky, pont redresseur de silicium
 
 
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