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Rendement élevé de perte de puissance faible de pont redresseur de MBRB10100CT-B Schottky

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Rendement élevé de perte de puissance faible de pont redresseur de MBRB10100CT-B Schottky

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :MBRB10100CT-B
Transistor de transistor MOSFET de puissance :TO-263-2L Plastique-encapsulent des diodes
Type :pont redresseur de Schottky
D'entité :Perte de puissance faible, rendement élevé
Tension inverse de RMS :70V
Identité de produit :MBRB10100CT-B
TJ :125℃
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MBR3060CT/MBR3060FCT TO-220-3L Plastique-encapsulent la diode


 

CARACTÉRISTIQUE
 
Puce de barrière de Schottky
Perte de puissance faible, rendement élevé
Garde Ring Die Construction pour la protection passagère
Capacité de crête élevée
Capacité à forte intensité et basse chute de tension en avant
Pour l'usage dans la basse tension, inverseurs à haute fréquence, roulement libre,
et applications de protection de polarité
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
Rendement élevé de perte de puissance faible de pont redresseur de MBRB10100CT-B Schottky
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
Rendement élevé de perte de puissance faible de pont redresseur de MBRB10100CT-B Schottky
 
 
Caractéristiques typiques
 
Rendement élevé de perte de puissance faible de pont redresseur de MBRB10100CT-B Schottky
 
 
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