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Diodes encapsulées par plastique du pont redresseur de MBR10150CT Schottky TO-220-3L

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Diodes encapsulées par plastique du pont redresseur de MBR10150CT Schottky TO-220-3L

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :MBR10150CT
Transistor de transistor MOSFET de puissance :TO-220-3L Plastique-s'encapsulent
D'entité :Puce de barrière de Schottky
La moyenne a rectifié le courant de sortie :10A
Dissipation de puissance :2 W
Identité de produit :MBR10150CT
Tstg :-55~+150
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Le REDRESSEUR TO-220-3L de BARRIÈRE de MBR10150CT SCHOTTKY Plastique-encapsulent des diodes


 

CARACTÉRISTIQUE

 

  • Puce de barrière de Schottky
  • Perte de puissance faible, rendement élevé
  • Garde Ring Die Construction pour la protection passagère
  • Capacité de crête élevée
  • Capacité à forte intensité et basse chute de tension en avant
  • Pour l'usage dans la basse tension, les inverseurs à haute fréquence, le roulement libre, et les applications de protection de polarité
 
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
Diodes encapsulées par plastique du pont redresseur de MBR10150CT Schottky TO-220-3L
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
 
Diodes encapsulées par plastique du pont redresseur de MBR10150CT Schottky TO-220-3L
 
Caractéristiques typiques
 
Diodes encapsulées par plastique du pont redresseur de MBR10150CT Schottky TO-220-3L
 
 
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