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Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :TIP127
Type :Triode de semi-conducteur
Transistor de transistor MOSFET de puissance :Plastique TO-126 encapsulé
Identité de produit :TIP122 TIP127
D'entité :Gain actuel élevé de C.C
Dissipation de puissance de collecteur :1.25W
La température de jonction :150℃
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TO-126 Plastique-encapsulent des transistors

 

 

 

TIP122 Darlington Transistor (NPN)

TIP127 Darlington Transistor (PNP)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 
Transistors complémentaires de silicium de puissance moyenne
 
 
TO-126
 

1. ÉMETTEUR

 

 2. COLLECTEUR

 

3. BASE

 

 

 

INSCRIPTION

 

 

TIP122, code de TIP127=Device

 

Point solide = dispositif composé de moulage vert, si aucun, le dispositif normal XX=Code

 

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

 

 

 

Circuit équivalent

 

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode de emballage Quantité de paquet
TIP122 TO-126 Le volume 200pcs/Bag
TIP127 TO-126 Le volume 200pcs/Bag
TIP122-TU TO-126 Tube 60pcs/Tube
TIP127-TU TO-126 Tube 60pcs/Tube

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25℃ sauf indication contraire)

Symbole Paramètre TIP122 TIP127 Unité
VCBO Tension de collecteur-base 100 -100 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 100 -100 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 5 -5 V
IC Courant de collecteur - continu 5 -5
PC * Dissipation de puissance de collecteur 1,25 W
RθJA Jonction de résistance thermique à ambiant 100 ℃/W
RθJc Jonction de résistance thermique au cas 8,33 ℃/W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Ventres =25 Š sauf indication contraire

 

TIP122 NPN
Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC =1MA, IE =0 100   V
Tension claque de collecteur-émetteur VCEO (SUS) IC =30MA, IB =0 100   V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB =100V, IE =0   0,2 mA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE =50 V, IB =0   0,5 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB =5 V, IC =0   2 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE = 3V, IC =0.5A 1000    
hFE (2) VCE = 3V, IC =3 A 1000 12000  

 

Tension de saturation de collecteur-émetteur

 

VCE (s'est reposé)

IC =3A, IB =12MA   2

 

V

IC =5 A, IB =20MA   4
Tension d'émetteur de base VBE VCE =3V, IC =3 A   2,5 V
Capacité de sortie Épi VCB =10V, IE =0, f=0.1MHz   200 PF

 

 

TIP127 PNP
Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC =-1MA, IE =0 -100   V
Tension claque de collecteur-émetteur VCEO (SUS) IC =-30MA, IB =0 -100   V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB =-100V, IE =0   -0,2 mA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE =-50 V, IB =0   -0,5 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB =-5 V, IC =0   -2 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE =-3V, IC =-0.5A 1000    
hFE (2) VCE =-3V, IC =-3A 1000 12000  

 

Tension de saturation de collecteur-émetteur

 

VCE (s'est reposé)

IC =-3A, IB =-12MA   -2

 

V

IC =-5 A, IB =-20MA   -4
Tension d'émetteur de base VBE VCE =-3V, IC =-3 A   -2,5 V
Capacité de sortie Épi VCB =-10V, IE =0, f=0.1MHz   300 PF

* cet essai est réalisé sans le radiateur aux ventres =25℃.

 

 

Caractéristiques typiques

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

 

 

 

 


Dimensions d'ensemble du paquet TO-126

 

 

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TYPE 0,090 TYPES
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

Transistors encapsulés par plastique de la triode TO-126 de semi-conducteur de TIP122 TIP127

 

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