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Équivalent à haute tension de transistor de puissance de TIP110 NPN bas sur la résistance

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
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Équivalent à haute tension de transistor de puissance de TIP110 NPN bas sur la résistance

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :TIP110
D'entité :Utilisation industrielle
Identité de produit :TIP110
tension d'Émetteur-base :5V
Courant de collecteur - continu :2A
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TO-220-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors TIP110 DARLINGTON (NPN)

 

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 
  • Gain actuel élevé de C.C : hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A (mn)
  • Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
  • Utilisation industrielle

 

ESTIMATIONS d'AXIMUM (merci =25℃ sauf indication contraire)
 
Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 60 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 60 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 5 V
IC Courant de collecteur - continu 2
PC Dissipation de puissance de collecteur 2 W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55 à +150

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC =10MA, IE =0 60     V
Tension soutenante de collecteur-émetteur VCEO (sus) IC =30MA, IB =0 60     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO IE =10MA, IC =0 5     V
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE =30V, IB =0     2 mA
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB =60V, IE =0     1 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB =5V, IC =0     2 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE =4V, IC =1A 1000      
hFE (2) VCE =4V, IC =2A 500      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (s'est reposé) IC =2A, IB =8MA     2,5 V
Tension d'émetteur de base VBE VCE =4V, IC =2A     2,8 V
Capacité de sortie de collecteur Épi VCB =10V, IE =0, f=0.1MHz     100 PF

 

 

 

 

Dimensions d'ensemble de paquet de TO-220-3L

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TYPE 0,100 TYPES
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Équivalent à haute tension de transistor de puissance de TIP110 NPN bas sur la résistance

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