Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Membre actif
6 Ans
Accueil / produits / Semiconductor Triode /

Transistor à effet de champ TIP112, transistor à haute fréquence

Contacter
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrDavid Lee
Contacter

Transistor à effet de champ TIP112, transistor à haute fréquence

Demander le dernier prix
Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :TIP112
Identité de produit :TIP112
D'entité :Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
Dissipation de puissance de collecteur :2w
La température de jonction :150℃
Tension de collecteur-base :100V
tension d'Émetteur-base :5V
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

TO-220-3L Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors TIP112 DARLINGTON (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
  • Gain actuel élevé de C.C : hFE =1000 @ VCE =4V, IC =1A (mn)
  • Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
  • Utilisation industrielle
 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 100 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 100 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 5 V
IC Courant de collecteur - continu 2
PC Dissipation de puissance de collecteur 2 W
TJ La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55 à +150

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC =10MA, IE =0 100     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT DE V (BR) IC =30MA, IB =0(SUS) 100     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO IE =10MA, IC =0 5     V
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE =50V, IB =0     2 mA
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB =100V, IE =0     1 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB =5V, IC =0     2 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE =4V, IC =1A 1000   12000  
hFE (2) VCE =4V, IC =2A 500      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (s'est reposé) IC =2A, IB =8MA     2,5 V
Tension d'émetteur de base VBE VCE =4V, IC =2A     2,8 V
Capacité de sortie de collecteur Épi VCB =10V, IE =0, f=0.1MHz     100 PF

 

 

 

Dimensions d'ensemble de paquet de TO-220-3L

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TYPE 0,100 TYPES
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Transistor à effet de champ TIP112, transistor à haute fréquence

 

 


 

Inquiry Cart 0