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TIP117 transistor à forte intensité, fuite de transistor de commutateur électrique basse

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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TIP117 transistor à forte intensité, fuite de transistor de commutateur électrique basse

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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :TIP117
Type :Triode de semi-conducteur
Transistor de transistor MOSFET de puissance :Plastique de TO-220-3L - encapsulé
Identité de produit :TIP117
D'entité :Gain actuel élevé de C.C
Courant de collecteur :-2A
Dissipation de puissance de collecteur :2w
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TO-220-3L en plastique - TRANSISTOR encapsulé des transistors TIP117 DARLINGTON (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
  •  Gain actuel élevé de C.C
  •  Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
  • Complémentaire à TIP112
 

ESTIMATIONS MAXIMUM (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base -100 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur -100 V
VEBO Tension d'Émetteur-base -5 V
IC Courant de collecteur -2
PC Dissipation de puissance de collecteur 2 W
RθJA Résistance thermique de jonction à ambiant 63 ℃/W
Tj La température de jonction 150
Tstg Température de stockage -55~+150

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25℃ sauf indication contraire)

 

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC =-1MA, IE =0 -100     V
Tension claque de collecteur-émetteur V (BR) CEO* IC =-30MA, IB =0 -100     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO IE =-5MA, IC =0 -5     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB =-100V, IE =0     -1 mA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE =-50V, IB =0     -2 mA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB =-5V, IC =0     -2 mA

 

Gain actuel de C.C

hFE (1) VCE =-4V, IC =-1A 1000   12000  
  hFE (2) VCE =-4V, IC =-2A 500      
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (s'est reposé) IC =-2A, IB =-8MA     -2,5 V
Tension d'émetteur de base VBE VCE =-4V, IC =-2A     -2,8 V
Capacité de sortie de collecteur Épi VCB =-10V, IE =0, f=0.1MHz     200 PF

 

 

Dimensions d'ensemble de paquet de TO-220-3L

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
  Minute Maximum Minute Maximum
4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TYPE 0,100 TYPES
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

TIP117 transistor à forte intensité, fuite de transistor de commutateur électrique basse

 

 


 

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