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à commutation rapide de puissance mosfet

1 - 20 Résultats pour à commutation rapide de puissance mosfet de 5132 produits

IRFP240, SiHFP240 Transistor MOSFET de puissance CARACTÉRISTIQUES • Estimation dynamique de dV/dt • Avalanche répétitive évaluée •...

Time : May,31,2024
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Modules IGBT pour l'automobile VS-FC420SA10 Modules MOSFET à commutateur unique [Avantage du MJD] + 15 ans d'expérience dans les composants électr...

Time : Apr,21,2025
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WSF3012 N-ch et description de transistor MOSFET de P-canal Les WSF3012 est le transistor MOSFET N-ch et P-ch de fossé de la plus haute performance ......

Time : Aug,21,2019
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5A 500V 1.33Ω MOSFET à commutation rapide haute puissance pour l'alimentation en veille MOSFET de puissance en mode d'amélioration N-canal Nom de...

Time : Mar,31,2025
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Sur-résistance de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFD110PBF basse et commutation rapide Paramè...

Time : Nov,30,2024
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Time : Aug,19,2023
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Transistor MOSFET du N-canal 100V 33A 130W D2PAK d'IRF540NS avec la commutation rapide Caractéristiques Technologie transformatrice avancée Sur-r......

Time : Nov,03,2023
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MOSFET à chaîne N et P ± 40 V avec vitesse de commutation rapide pour la commande du moteur CC Description générale Le JY2504NPM est un transi...

Time : Mar,29,2025
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P creusent des rigoles la puissance élevée de transistor MOSFET de transistor de commutation d'IRF9540NPBF TO-220 100V 23A Description La cin...

Time : Jun,12,2024
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Description du produit: Le Super Junction MOSFET est un dispositif discret de puissance pour le pilote LED, le circuit PFC, l'alimentation électriqu...

Time : Dec,26,2024
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Transistor MOSFET du transistor MOSFET NVHL095N65S3HF SUPERFET III de puissance élevée, 650V, 95mΩ, récupération rapide de 36A FRFET [Qui nous so...

Time : Nov,24,2024
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Original du P-canal 12A/200V de transistor MOSFET de puissance d'IRFP9240PBF TO-247 VISHAY CARACTÉRISTIQUES • Estimation dynamique de dV/d...

Time : May,31,2024
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Transistors MOSFET HiPerFET de puissance du transistor MOSFET 800V 27A 0,32 le RDS de la Manche d'IXFK27N80Q N Description Transistors MOSFET Q-C...

Time : Nov,28,2024
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Transistor MOSFET 600V/4A de puissance de JY16M N Channel Enhancement Mode pour la récupération rapide de Switchong et de corps Description g...

Time : Mar,18,2025
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redresseur de changement à haute fréquence d'alimentation d'énergie de C.C IGBT de 12volt 300Amp L'unité d'alimentation d'énergie (également connue ......

Time : Aug,27,2023
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NCS20074DTBR2G - Pilote MOSFET double haute vitesse pour MOSFET de puissance et IGBT Trouvez des informations ici en stock.xlsx Introduction...

Time : Nov,29,2024
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