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W25N01GVZEIG 3V 1G-BIT SÉRIEL SLC NAND FLASH MEMORY avec double/quad SPI Les données de base sont fournies par les autorités compétentes de l'UE....
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MT29F2G01ABAGDWB-IT : Puces de mémoire instantanée de G Caractéristiques du produit : - Mémoire de NAND Flash de 2 gigabits (gigaoctet) - tension de l......
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TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba NAND Flash Parallel 1.8V 67-Pin VFBGA de 1G-bit 128M x 8Spécifications techniques de produit UE RoHS Conforme...
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CCE de W29N01HVSINA NAND Flash Memory 1Gbit 2.7V à 3.6V TSOP-48 de 35mA 128M x 8 Caractéristiques Attribut de produit Valeur d'attribut...
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EMMC NAND Flash Memory Data Storage de l'eMMC 8GB 3.3V 200Mhz d'IS21ES08G-JCLI CARACTÉRISTIQUES • Mémoire instantanée emballée de non-et avec...
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Soutien de fabrication de substrat de mémoire de FMC NAND/Flash Application : Paquet d'IC, paquet de semi-conducteur, produits d'UDP/USB, l'électroni......
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Circuits intégrés électroniques de STMicroelectronics de MÉMOIRE INSTANTANÉE de non-et de NAND256W3A2BN6E. Style d'installation : SMD/SMTPaquet/boîte......
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ÉCLAIR de SM662GEF BFST - ÉCLAIR du non-et (SLC) - mémoire IC EMMC 100-BGA du non-et (chromatographie sur couche mince) Mfr...
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