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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
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China Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent wholesale
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Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent
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Point d'origine :Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum :1000-2000 PCs
Détails d'emballage :Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :1 - 2 semaines
Conditions de paiement :L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :18,000,000PCS/par jour
Numéro de type :HXY2312
Nom du produit :transistor de puissance de transistor MOSFET
La température de jonction :150℃
Matériau :de silicium
Affaire :Bande/plateau/bobine
Type :Transistor de transistor MOSFET
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SOT-23 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET du N-canal 20-V (D-S) des TRANSISTORS MOSFET HXY2312
 

 

Résumé de produit

 

ID= 6,0 A VDSS=20v
Le RDS (dessus) <32 m="">
Le RDS (dessus) <40 m="">
 
 
CARACTÉRISTIQUE 
 
Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET
 
 
APPLICATION
 
 
Convertisseurs de DC/DC
Commutation de charge pour des applications portatives
 
 
Estimations maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent
 
T =25 un ℃ sauf indication contraire
 
Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent
 
Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulentLe plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent
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