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Accueil / produits / Mos Field Effect Transistor / Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent /

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Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent
Le plastique du transistor à effet de champ de MOS de la Manche 20-V (D-S) de HXY2312 N SOT-23 s'encapsulent
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SOT-23 Plastique-encapsulent le transistor MOSFET du N-canal 20-V (D-S) des TRANSISTORS MOSFET HXY2312 Résumé de produit ID= 6,0 A VDSS=20v Le RDS ...
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