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FGA25N120ANTD # à 3P Le NPT a été modifié par la directive 2008/57/CE.25A 1200V Caractéristiques • Technologie de la tranchée NPT, coefficient de......
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FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109 fossé IGBT de 1200V TNP Caractéristiques • Technologie de fossé de TNP, coefficient de température positif •...
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Fossé IGBT 25A 1200V de FGA25N120ANTD # de TO-3P TNP Caractéristiques • Technologie de fossé de TNP, coefficient de température positif •...
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Modules IGBT automobiles FF300R17ME4 Module IGBT NPT demi-pont 1700V 375A 1800W Module monté sur châssis [MJDAvantages + 15 ans d'expérience dans...
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Module d'alimentation d'IRGP 4660 D-EPBF IGBT - solution robuste et fiable performante de puissance Module d'alimentation d'IRGP4660D-EPBF IG...
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Transistors de module de puissance IGBT IXGX75N250 IGBT simples Spécifications IXGX75N250 Statut de la pièce Actif Type d'...
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Bâti D2PAK de surface d'IRGS4B60KD1TRRP IRGS4B60KD1 IGBT TNP 600V 11A 63W Caractéristiques • Bas VCE (dessus) passent non à travers la technologie d......
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Bâti extérieur TO-252AA de FGD3N60UNDF IGBT TNP 600 V 6 A 60 W Fiche technique : FGD3N60UNDF Catégorie IGBTs simple Mfr onsemi Statut de produit Obsol......
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IXGH24N170 IGBT haute tension IXYS IXGH24 produits semi-conducteurs discrets IGBT 1700V 50A 250W TO247AD Spécification : IGBT haute tension N...
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Commutation à grande vitesse de la commutation IGBT 1200V 40A 310W TO3P de puissance de FGA25N120ANTD Description Utilisant la technologie de TNP,...
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Détail de produit Emballage Tube Statut de partie Actif Type d'IGBT TNP et fossé Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 1200V...
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IKW25T120 par PERTE DuoPack 1200V 25A de transistors du trou IGBT la BASSE ●Approximativement 1.0V a réduit VCE (s'est reposé) et 0.5V a rédu...
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Module IGBT NPT unique 1200 V 160 A 700 W Montage du châssis Y4-M5...
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Module IGBT NPT Double booster Chopper 1200 V 70 A 312 W Monture du châssis SP3...
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Bâti SP3 de châssis du couperet 1200 V 70 A 312 W de poussée du module TNP d'IGBT double...
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