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Type épitaxial du silicium NPN de module de transistor de puissance de TOSHIBA (Quatre transistors de puissance de Darlington dans un) MP410...
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SOT-89 D882 Transistors encapsulés en plastique Caractéristiques Dissipation de puissance Nombre maximal Rating (T)a)= 25°C à moins qu'il e...
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Halogène fonctionnel multi de transistor de puissance de transistor MOSFET - dispositifs libres disponibles Description de transistor de puissa...
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Module d'alimentation des véhicules à moteur de transistor MOSFET des modules 1200V du N-canal MSC40SM120JCU3 IGBT sic Description de produit de...
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Transistor de puissance de transistor MOSFET d'IMMERSION du P-canal 100V 40A 200W TO-220 d'IRF5210PBF Description La cinquième génération HEX...
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Le N-CANAL J-FET a qualifié par MIL-PRF-19500/431 2N4091 2N4092 2N4093 CAPACITÉS ABSOLUES (MERCI = +25℃ sauf indication contraire)...
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Description du produit: ToshibaTK100E10N1,S1X(SLa puce IC de puissance, qui est une 650V, 30A MOSFET N, est un excellent choix pour les applications...
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