Alimentation MOSFET AON6403 ÉlectroniqueAdvanced Trench MOSFET Technology 30V Package 8-DFN...
Add to Cart
Le MOSFET de tranchée de canal N/P complémentaire de 20 V PMCXB900UE Nom du fabricant: Nexperia Catégorie de produit: Les MOSFET Pour...
Add to Cart
Sic transistors TO-263-8 1700V de transistors MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IMBF170R1K0M1 de fossé Description de produit d'IMBF170R1K0M...
Add to Cart
Transistor MOSFET 60V 103A 3.9mΩ de ® de fossé de puissance de porte protégé parcanal du transistor MOSFET NTTFS3D7N06HL de puissance élevée [Qui n......
Add to Cart
NX7002AK, transistor MOSFET 60V 190mA SMD/SMT simple de fossé du N-canal 215 SOT-23-3 1 Produits Description : Le NX7002AK est un transistor d'effet...
Add to Cart
– Transistor MOSFET pulsé de puissance de commutation de transistor MOSFET de PowerTrench spécifique par 1.8V de P-canal de FDN304PZ Caractérist...
Add to Cart
TRANSISTOR MOSFET DE FOSSÉ DE PUISSANCE DU TRANSISTOR MOSFET 30V.PCH Attribut de produit Valeur d'attribut Attribut chois...
Add to Cart
– A palpité le P-canal 1.8V de FDN304PZ a spécifié le transistor MOSFET de changement de puissance de transistor MOSFET de PowerTrench Caractéris......
Add to Cart
FDS4835 marquant 4835 SOP8 conjuguent paquet de bobine de transistor MOSFET de PowerTrench du P-canal 30V Liste d'autres composants électro...
Add to Cart
WSF3012 N-ch et description de transistor MOSFET de P-canal Les WSF3012 est le transistor MOSFET N-ch et P-ch de fossé de la plus haute performance ......
Add to Cart
Détail de produit Emballage Tube Statut de partie Actif Type d'IGBT TNP et fossé Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 1200V...
Add to Cart
JUYI N Channel Super Trench Power MOSFET avec commutation rapide et récupération du corps inverse Définition générale Le produit utilise les dern...
Add to Cart
Gamme de produits Applications de changement de transistor MOSFET STMicroelectronics STP110N8F6 de transistors de semi-conducteurs d'IDiscrete N-...
Add to Cart
Arrêt de champ de fossé de BIDW30N60T IGBT 600 V 60 A 230 W par le trou TO-247Les Bourns modèlent les transistors bipolaires isolés OFFERTS de porte......
Add to Cart
Composantélectroniquede N-canaldutransistor MOSFETSMDdetransistord'AP70N03NF.pdfAP70N03NFpourlecircuit intégré Description L'AP70N03...
Add to Cart
AON7534 30V MOSFET canal N 10,5 mΩ Rds(on) 60A continu DFN5x6-8L -55°C à +175°C AEC-Q101 Description générale • Technologie MOSFET de puiss...
Add to Cart
Le transistor MOSFET de N-canal de transistors de CJ2310 S10 NPN PNP Plastique-encapsulent des TRANSISTORS MOSFET DESCRIPTION Le CJ23...
Add to Cart