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le mosfet de tranchée

1 - 20 Résultats pour le mosfet de tranchée de 27 produits

Alimentation MOSFET AON6403 ÉlectroniqueAdvanced Trench MOSFET Technology 30V Package 8-DFN...

Time : Nov,30,2024
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Le MOSFET de tranchée de canal N/P complémentaire de 20 V PMCXB900UE Nom du fabricant: Nexperia Catégorie de produit: Les MOSFET Pour...

Time : Mar,03,2026
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Sic transistors TO-263-8 1700V de transistors MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IMBF170R1K0M1 de fossé Description de produit d'IMBF170R1K0M...

Time : Nov,29,2024
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Transistor MOSFET 60V 103A 3.9mΩ de ® de fossé de puissance de porte protégé parcanal du transistor MOSFET NTTFS3D7N06HL de puissance élevée [Qui n......

Time : Jun,01,2024
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NX7002AK, transistor MOSFET 60V 190mA SMD/SMT simple de fossé du N-canal 215 SOT-23-3 1 Produits Description : Le NX7002AK est un transistor d'effet...

Time : Mar,24,2026
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– Transistor MOSFET pulsé de puissance de commutation de transistor MOSFET de PowerTrench spécifique par 1.8V de P-canal de FDN304PZ Caractérist...

Time : May,31,2024
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TRANSISTOR MOSFET DE FOSSÉ DE PUISSANCE DU TRANSISTOR MOSFET 30V.PCH Attribut de produit Valeur d'attribut Attribut chois...

Time : Nov,29,2024
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– A palpité le P-canal 1.8V de FDN304PZ a spécifié le transistor MOSFET de changement de puissance de transistor MOSFET de PowerTrench Caractéris......

Time : Jan,05,2026
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FDS4835 marquant 4835 SOP8 conjuguent paquet de bobine de transistor MOSFET de PowerTrench du P-canal 30V Liste d'autres composants électro...

Time : Nov,30,2024
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WSF3012 N-ch et description de transistor MOSFET de P-canal Les WSF3012 est le transistor MOSFET N-ch et P-ch de fossé de la plus haute performance ......

Time : Aug,21,2019
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Détail de produit Emballage Tube Statut de partie Actif Type d'IGBT TNP et fossé Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 1200V...

Time : Dec,02,2024
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JUYI N Channel Super Trench Power MOSFET avec commutation rapide et récupération du corps inverse Définition générale Le produit utilise les dern...

Time : Mar,05,2026
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Gamme de produits Applications de changement de transistor MOSFET STMicroelectronics STP110N8F6 de transistors de semi-conducteurs d'IDiscrete N-...

Time : Aug,27,2025
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Arrêt de champ de fossé de BIDW30N60T IGBT 600 V 60 A 230 W par le trou TO-247Les Bourns modèlent les transistors bipolaires isolés OFFERTS de porte......

Time : Nov,25,2024
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Composantélectroniquede N-canaldutransistor MOSFETSMDdetransistord'AP70N03NF.pdfAP70N03NFpourlecircuit intégré Description L'AP70N03...

Time : Mar,28,2026
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AON7534 30V MOSFET canal N 10,5 mΩ Rds(on) 60A continu DFN5x6-8L -55°C à +175°C AEC-Q101 Description générale • Technologie MOSFET de puiss...

Time : Dec,26,2025
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Le transistor MOSFET de N-canal de transistors de CJ2310 S10 NPN PNP Plastique-encapsulent des TRANSISTORS MOSFET DESCRIPTION Le CJ23...

Time : May,31,2024
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