Produit : Transistors de puissance de HMC442LC3BTR rf Description : Le HMC442LC3BTR est une puissance à gain élevé et moyenne GaN su...
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RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W pour les applications d'amplificateurs Descriptif du RD06HVF1 RD06HVF1 est un transistor de type ......
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Transistors IPP65R050CFD7A Puce de circuit intégré 650V FETs simples Transistors TO-220-3 Description du produitLe nombre d'heures de travail est c...
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Original bipolaire des transistors SI de MRF9045LR1TRANSISTORS rf en stock L'ASI MRF9045LR1 est une haute tension, or-métallisée, semiconducteur...
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Nom du fabricant: Le système MACOM Catégorie de produit: Transistors MOSFET RF Pour les véhicules à moteur: Détails Polarité du transistor: N...
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Bâti de surface du transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW des transistors rf de BFS505 NPN PNP NPN transistor de bande large de 9 gigahertz CARAC...
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Nom de produit : PD57018-E Fabricant : STMicroelectronics Catégorie de produit : Transistors de l'effet de gisement de semico...
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INNOTION 7W 28V Transistor de puissance RF au nitrure de gallium YP601238T avec gain d'efficacité élevé et large bande passante CC à 7,2 GHz Descri......
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Bâti extérieur SOT-223 S525T de VISHAY IC S525T-GS08 Produit Paramenters Fabricant : Vishay Catégorie de produit : Transis...
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TRANSISTORS MOSFET de transistor de puissance de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E rf Le PD85035-E est un N-canal de source commune, puissance latéra...
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Description du produit: Le transistor MOS-Gate à haute tension, communément appelé FET à haute tension, est un type de dispositif semi-conducteur co......
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BFS505 NPN PNP Transistors Transistors RF NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Monture de surface Transistors à large bande NPN 9 GHz Caractéristiques • Faible...
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Détail de produit EmballageCoupez la bande (les CT)Statut de partieCessé à la Digi-cléType de FETN-canalTechnologieTransistor MOSFET (oxyde de métal)V......
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Circuits intégrés NON-DÉTERMINÉ MRF150 de microcontrôleur d'IC MCU des composants MRF150 électroniques Spécifications ar...
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AOD442/AOI442 transistor MOSFET du N-canal 60V Description générale La technologie avancée de fossé utilisée par AOD442/AOI442 à fourniss...
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SSM6N48FU, rf (caractéristiques de D Statut de partie Obsolète...
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Type transistor MOSFET à haute tension de FET de MOS RD06HVF1 de puissance de transistor MOSFET de puissance faible de transistor DESCRIPTION R...
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